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龍圖騰網獲悉中國科學院半導體研究所申請的專利材料生長參數的調整方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118155767B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410254221.5，技術領域涉及：G16C60/00；該發明授權材料生長參數的調整方法及裝置是由趙超;沈超;占文康;徐波;王占國設計研發完成，并于2024-03-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本材料生長參數的調整方法及裝置在說明書摘要公布了：本申請提出一種材料生長參數的調整方法及裝置，其中，方法包括：將已制備材料的歷史生長過程中生長參數的第一參數值及已制備材料的表征結果，輸入第一參數獲取模型，以獲取待制備材料生長時生長參數的初始參數值；在待制備材料在初始參數值對應的生長環境中生長的過程中，實時獲取生長參數的第二參數值及待制備材料的原位表征數據；將第二參數值及原位表征數據中的至少一項，輸入第二參數獲取模型中，以獲取生長參數的預測結果；基于預測結果，對生長參數在目標時刻對應的參數值進行調整。不僅在材料生長前設定每個生長參數經過優化后的初始值，也在材料生長過程中對生長參數的值進行動態優化，有效提高材料生長質量和良品率。

本發明授權材料生長參數的調整方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種材料生長參數的調整方法，其特征在于，包括： 獲取已制備材料的歷史生長過程中各生長參數對應的第一參數值、及所述已制備材料對應的表征結果；其中，所述各生長參數包括材料襯底溫度、襯底脫氧溫度、襯底再構轉變溫度、In源爐溫度和As針閥位置，所述表征結果為所述已制備材料在歷史生長過程中的原位表征結果和異位表征結果，所述原位表征結果為所述已制備材料在歷史生長過程中原位表征設備采集的數據，所述原位表征設備為反射高能電子衍射儀、和或四極質譜儀，所述異位表征結果為所述已制備材料的性能； 將所述各生長參數對應的第一參數值及所述表征結果，輸入第一參數獲取模型，以獲取待制備材料生長時所述各生長參數對應的初始參數值，其中，所述待制備材料為的InAs量子點激光器；以及 在所述獲取待制備材料生長時所述各生長參數對應的初始參數值之后，基于所述初始參數值，調整所述待制備材料的生長環境； 在所述待制備材料在所述初始參數值對應的生長環境中生長的過程中，實時獲取所述各生長參數對應的第二參數值及所述待制備材料對應的原位表征數據； 將所述第二參數值及所述原位表征數據中的至少一項，輸入第二參數獲取模型中，以獲取所述各生長參數對應的預測結果；在所述第二參數獲取模型為預測模型的情況下，將所述第二參數值及所述原位表征數據，輸入第二參數獲取模型中，以獲取所述各生長參數在目標時刻對應的目標參數值，或者獲取所述各生長參數對應的調整方向及調整速度； 在所述第二參數獲取模型為判別模型的情況下，將所述原位表征數據，輸入所述第二參數獲取模型中，以獲取所述各生長參數對應的調整方向及調整速度； 基于所述預測結果，對所述各生長參數在目標時刻對應的參數值進行調整； 將所述第二參數值及所述原位表征數據中的至少一項，輸入第二參數獲取模型中，以獲取所述各生長參數對應的預測結果，包括： 將當前時刻的第二參數值及前m個時刻的第二參數值進行拼接，以獲取第一輸入數據，將當前時刻的原位表征數據及前m個時刻的原位表征數據進行拼接，以獲取第二輸入數據，將所述第一輸入數據及所述第二輸入數據中的至少一項，輸入第二參數獲取模型中，以獲取所述各生長參數對應的預測結果。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院半導體研究所，其通訊地址為：100083 北京市海淀區清華東路甲35號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。