四川大學(xué);清華大學(xué)孟鵬飛獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉四川大學(xué);清華大學(xué)申請(qǐng)的專利一種高通流ZnO壓敏電阻壓片的制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN118184334B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202410293069.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C04B35/453;該發(fā)明授權(quán)一種高通流ZnO壓敏電阻壓片的制備方法是由孟鵬飛;殷越;何金良;胡軍;郭敬科設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-03-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種高通流ZnO壓敏電阻壓片的制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種高通流ZnO壓敏電阻壓片的制備方法,屬于壓敏電阻領(lǐng)域。本發(fā)明制備方法包括壓敏電阻壓片的原料配制,按照配比取各原料經(jīng)過球磨混合、噴霧干燥壓制成四棱柱胚體,然后進(jìn)行燒結(jié)、磨片工藝得到壓片成品。本發(fā)明壓制成型工藝相較于傳統(tǒng)圓柱胚體,使用現(xiàn)有磨片工藝打磨側(cè)面,降低壓敏電阻氣孔率,均勻性增加,同時(shí)解決在涂覆高阻層與絕緣層時(shí)同一柱體上部比下部薄均勻性差的問題,大幅提高高阻層的均勻度;涂覆修復(fù)層代替?zhèn)鹘y(tǒng)高阻層工序,修復(fù)層體系中去掉了氧化硅、氧化銻等氧化物,降低了燒結(jié)過程中生成硅鋅礦、銻酸鋅等尖晶石物質(zhì)的生成,使修復(fù)介質(zhì)可以充分修復(fù)側(cè)面晶粒與晶界,抑制了側(cè)面閃絡(luò)現(xiàn)象。
本發(fā)明授權(quán)一種高通流ZnO壓敏電阻壓片的制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種高通流ZnO壓敏電阻壓片的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: S100壓敏電阻壓片的原料配制:所述壓敏電阻壓片由以下摩爾百分比的原料組成:氧化鋅92.25~95.18%、氧化鉍0.8~1.0%、氧化鈷0.6~1.2%、二氧化錳0.5~1.0%、三氧化鉻0.3~0.7%、三氧化二銻0.6~1.2%、二氧化硅0.8~1.5mol%、硝酸釔六水合物0.5~1.0%、硝酸鎵九水合物0.3~0.7%、硝酸銦九水合物0.02~0.04%; S200壓制成型:按照配比取各原料,經(jīng)過球磨混合、噴霧干燥后的粉料,置于方形壓片模具中,蓋緊模具蓋子,將粉料成型得到截面為正方形的四棱柱胚體; S300燒結(jié):用高溫電爐在封閉條件中燒結(jié)坯體,從室溫升至400℃,升溫時(shí)間10~15h,在280℃保持低溫排膠5h,進(jìn)而降溫至室溫,降溫速度為15℃h; S400成片:從室溫至900℃,升溫時(shí)間9h,平均升溫速度為100℃h;從900℃至1250℃,升溫時(shí)間5h,平均升溫速度為100℃h;在1250℃保溫2~4h;自然降溫,平均降溫速度為100℃h,得到壓敏電阻壓片; S500磨片:通過立式磨片機(jī)對(duì)所述壓敏電阻壓片的四個(gè)側(cè)面進(jìn)行打磨,打磨深度1~2mm,得到壓敏電阻壓片成品; S600涂覆修復(fù)層:對(duì)步驟S500所得的壓敏電阻壓片成品的四個(gè)側(cè)面涂覆修復(fù)層,對(duì)修復(fù)層進(jìn)行燒結(jié),然后再打磨所述壓敏電阻壓片成品的上下兩個(gè)端面; 其中,所述修復(fù)層由以下摩爾百分比的原料組成,硝酸鋅91.7~95.2%、硝酸鉍3.5~6.5%、氧化鈷0.5~1.5%、醋酸乙烯基鋰0.1~0.3%。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人四川大學(xué);清華大學(xué),其通訊地址為:610000 四川省成都市一環(huán)路南一段24號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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